產品說明:
採用量子阱結構的DFB激光器,採用高功率DFB芯片,功率可達到60mW,線寬窄200kHZ,內置半導體制冷器, 的激光焊接工藝實現蝶形尾纖式封裝,結構緊湊,體積小,在光纖通信領域得到廣氾應用;半導體制冷器高精度溫度控制下,激光器功率高穩定、波長高穩定的優勢,使得激光器在光纖傳感器領域得到廣氾應用。
特點:
MQW-DFB 量子阱結構
低閾值電流、高斜率效率
內置半導體制冷器、內置監控探測器
氣密性封裝、激光焊接工藝、高可靠性、高穩性
應用:
光纖通信
光儀表(光源、OTDR)
光纖氣體傳感器(光源)
極限參數:
參數 |
符號 |
參數值 |
單位 |
激光二極管正向電流 |
If(LD) |
500 |
mA |
激光二極管反向電壓 |
Vr(LD) |
2 |
V |
背光探測器工作電流 |
If(PD) |
2 |
mA |
背光探測器反向電壓 |
Vr(PD) |
20 |
V |
致冷器工作電流 |
ITEC |
2.4 |
A |
致冷器工作電壓 |
VTEC |
2.9 |
V |
工作溫度 |
Topr |
-20~+70 |
℃ |
存儲溫度 |
Tstg |
-40~+85 |
℃ |
引線焊接溫度/時間 |
Tsld |
260/10 |
℃/s |
技術參數:
參數 |
最小值 |
典型值 |
值 |
單位 |
測試條件 |
出纖功率 |
40 |
|
60 |
mW |
Iop=350mA |
閾值電流 |
|
50 |
80 |
mA |
CW |
工作電壓 |
|
1.6 |
3 |
V |
If =IOP |
線寬 |
|
150 |
200 |
khz |
CW |
中心波長 |
|
1550 |
|
nm |
IOP =350mA |
波長隨溫度變化漂移係數 |
|
0.1 |
|
nm/℃ |
穩定工作電流 |
波長隨電流變化漂移係數 |
|
0.012 |
|
nm/mA |
穩定工作溫度 |
背光監視電流 |
0.1 |
|
2 |
mA |
If =IOP |
背光探測器暗電流 |
|
|
10 |
nA |
If =I |
邊模抑制比 |
35 |
|
|
dB |
|
芯片工作溫度 |
|
25 |
|
℃ |
|
熱敏電阻 |
|
10 |
|
KΩ |
芯片工作溫度25℃ |
訂貨信息:
產品名稱 |
中心波長 |
輸出功率 |
光纖類型 |
尾纖類型 |
連接頭類型 |
管腳定義 |
高功率DFB激光器 |
1550nm |
40mW |
單模光纖 |
250um裸纖 |
FC/APC |
管腳定義1 |
|
50mW |
保偏光纖 |
900um套管 |
FC/UPC |
管腳定義2 |
|
|
|
60mW |
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可定製 |
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|
|
80mw |
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|
|
|
100mW |
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分布式反饋特定波長蝶形封裝的激光器,波長可根據客戶的要求定製(CWDM波段、DWDM波段、特殊波長),可選擇是否內置光隔離器,帶制冷器,光功率可以選擇,14腳蝶形外殼接地,等致遠光也可以按客戶的要求定製高性能的激光器。單模、保偏可選。功率:10mW、20mW等可選。TO封裝功率:1mW~4mW可選.(CWDM波長1270--1610每隔20nm)±2nm,DWDM波長ITU±0.1nm
波長:1270nm,1290nm,1310nm,1330nm,1350nm,1370nm,1390nm,1410nm,1430nm
1450nm,1470nm,1490nm,1510nm,1530nm,1550nm,1570nm,1590nm,1610nm
H2O:1392nm HCL”“NH3:氨氣-1512nm”“CO:**-1567nm”“CO2:二氧化碳-1578nm”“C2H2:乙炔-1532nm”“CH4:甲烷-1653.7nm。
760nm~3000nm任意波長DFB激光器。3000nm~6000nm任意波長ICL激光器可定製。封裝形式可選