產品說明:
採用量子阱結構的DFB激光器,採用高功率DFB芯片,功率可達到60mW,線寬窄200kHZ,內置半導體制冷器, 的激光焊接工藝實現蝶形尾纖式封裝,結構緊湊,體積小,在光纖通信領域得到廣氾應用;半導體制冷器高精度溫度控制下,激光器功率高穩定、波長高穩定的優勢,使得激光器在光纖傳感器領域得到廣氾應用。
特點:
MQW-DFB 量子阱結構
低閾值電流、高斜率效率
內置半導體制冷器、內置監控探測器
氣密性封裝、激光焊接工藝、高可靠性、高穩性
應用:
光纖通信
光儀表(光源、OTDR)
光纖氣體傳感器(光源)
極限參數:
參數
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符號
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參數值
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單位
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激光二極管正向電流
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If(LD)
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500
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mA
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激光二極管反向電壓
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Vr(LD)
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2
|
V
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背光探測器工作電流
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If(PD)
|
2
|
mA
|
背光探測器反向電壓
|
Vr(PD)
|
20
|
V
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致冷器工作電流
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ITEC
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2.4
|
A
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致冷器工作電壓
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VTEC
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2.9
|
V
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工作溫度
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Topr
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-20~+70
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℃
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存儲溫度
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Tstg
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-40~+85
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℃
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引線焊接溫度/時間
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Tsld
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260/10
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℃/s
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技術參數:
參數
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最小值
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典型值
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值
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單位
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測試條件
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出纖功率
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40
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60
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mW
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Iop=350mA
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閾值電流
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50
|
80
|
mA
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CW
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工作電壓
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1.6
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3
|
V
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If =IOP
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線寬
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150
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200
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khz
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CW
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中心波長
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1550
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nm
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IOP =350mA
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波長隨溫度變化漂移係數
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0.1
|
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nm/℃
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穩定工作電流
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波長隨電流變化漂移係數
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|
0.012
|
|
nm/mA
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穩定工作溫度
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背光監視電流
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0.1
|
|
2
|
mA
|
If =IOP
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背光探測器暗電流
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10
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nA
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If =I
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邊模抑制比
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35
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dB
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芯片工作溫度
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25
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℃
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熱敏電阻
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10
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KΩ
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芯片工作溫度25℃
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訂貨信息:
產品名稱
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中心波長
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輸出功率
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光纖類型
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尾纖類型
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連接頭類型
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管腳定義
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高功率DFB激光器
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1550nm
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40mW
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單模光纖
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250um裸纖
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FC/APC
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管腳定義1
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50mW
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保偏光纖
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900um套管
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FC/UPC
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管腳定義2
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60mW
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可定製
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80mw
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100mW
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分布式反饋特定波長蝶形封裝的激光器,波長可根據客戶的要求定製(CWDM波段、DWDM波段、特殊波長),可選擇是否內置光隔離器,帶制冷器,光功率可以選擇,14腳蝶形外殼接地,等致遠光也可以按客戶的要求定製高性能的激光器。單模、保偏可選。功率:10mW、20mW等可選。TO封裝功率:1mW~4mW可選.(CWDM波長1270--1610每隔20nm)±2nm,DWDM波長ITU±0.1nm
波長:1270nm,1290nm,1310nm,1330nm,1350nm,1370nm,1390nm,1410nm,1430nm
1450nm,1470nm,1490nm,1510nm,1530nm,1550nm,1570nm,1590nm,1610nm
H2O:1392nm HCL”“NH3:氨氣-1512nm”“CO:**-1567nm”“CO2:二氧化碳-1578nm”“C2H2:乙炔-1532nm”“CH4:甲烷-1653.7nm。
760nm~3000nm任意波長DFB激光器。3000nm~6000nm任意波長ICL激光器可定製。封裝形式可選