描述
該激光器採用量子阱結構的DFB 激光器,內置半導體制冷器, 的激光焊接工藝實現蝶形尾纖式封裝,結構緊
湊,體積小,半導體制冷器高精度溫度控制下,激光器功率高穩定、波長高穩定的優勢,使得激光器在光纖傳感器
領域得到廣氾應用。
特點:採用進口氣體檢測專用芯片封裝、波長穩定、高輸出功率、氣密性溫控封裝
應用:光纖氣體檢測系統、氣體檢測用無源器件生產檢測、光源
極限工作條件:
參數
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符號
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參數值
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單位
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激光二極管正向電流
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If(LD)
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120
|
mA
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激光二極管方向電壓
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Vr(LD)
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2
|
V
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背光探測器工作電流
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If(PD)
|
2
|
mA
|
背光探測器方向電壓
|
Vr(PD)
|
20
|
V
|
制冷器工作電流
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ITEC
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2.4
|
A
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制冷器工作電壓
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VTEC
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2.9
|
V
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工作溫度
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Topr
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-20~+70
|
℃
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存儲溫度
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Tstg
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-40~+85
|
℃
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引線焊接溫度/時間
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Tsld
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260/10
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℃/s
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技術參數:(測試環境溫度為25℃)
參數
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符號
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最小
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典型
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單位
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出光功率
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PO
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|
10
|
|
mW
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閥值電流
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Ith
|
|
12
|
18
|
mA
|
工作電流
|
Iop
|
|
80
|
|
mA
|
工作電壓
|
Vop
|
|
1.5
|
2.0
|
V
|
線寬
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LW
|
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|
2
|
Mhz
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中心波長
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λc
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1578
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|
nm
|
波長隨溫度變化漂移係數
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Δλ/T
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|
0.1
|
|
nm
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波長隨電流變化漂移係數
|
Δλ/I
|
|
0.01
|
|
Nm
|
背光監視電流
|
Im
|
0.1
|
|
2
|
mA
|
背光探測器暗電流
|
Id
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|
|
10
|
nA
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邊模抑制比
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SMSR
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35
|
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|
dB
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芯片工作溫度
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T
|
|
25
|
|
℃
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熱敏電阻@25℃
|
R
|
|
10
|
|
KΩ
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備註:
氣體檢測中,根據HITRAN 提供的吸收譜線數據,同一種氣體通常幾個吸收峰,客戶應先根據自己的系統需要選擇最
佳中心波長位置。
分布式反饋特定波長蝶形封裝的激光器,波長可根據客戶的要求定製(CWDM波段、DWDM波段、特殊波長),可選擇是否內置光隔離器,帶制冷器,光功率可以選擇,14腳蝶形外殼接地,等致遠光也可以按客戶的要求定製高性能的激光器。單模、保偏可選。功率:10mW、20mW等可選。TO封裝功率:1mW~4mW可選.(CWDM波長1270--1610每隔20nm)±2nm,DWDM波長ITU±0.1nm
波長:1270nm,1290nm,1310nm,1330nm,1350nm,1370nm,1390nm,1410nm,1430nm
1450nm,1470nm,1490nm,1510nm,1530nm,1550nm,1570nm,1590nm,1610nm
H2O:1392nm HCL”“NH3:氨氣-1512nm”“CO:**-1567nm”“CO2:二氧化碳-1578nm”“C2H2:乙炔-1532nm”“CH4:甲烷-1653.7nm。
760nm~3000nm任意波長DFB激光器。3000nm~6000nm任意波長ICL激光器可定製。封裝形式可選